Zunächst fällt der Unterschied der Abbildungen~\ref{fig:QuadrantEins} und~\ref{fig:QuadrantZwei} zu den ersten beiden Quadranten des in Abbildung~\ref{fig:Vierquadranten} dargestellten Vierquadrantenkennlinienfeld eines idealisierten Transistors auf.

Der im ersten Quadranten dargestellte Zusammenhang sollte im aktiven Bereich einen möglichst konstanten Kollektorstrom zeigen, die Messung ergab jedoch vor allem für größere Basisströme eine nicht zu vernachlässigende Proportionalität zwischen Kollektor-Emitter-Spannung $U_\mathrm{CE}$ und Kollektorstrom $I_\mathrm{C}$ (siehe auch Abb.~\ref{fig:QuadrantEins}).
Ein Grund dafür ist vielleicht der Betrieb des Transistors weit unterhalb seiner Leistungsgrenzen, laut Datenblatt~\citep{2N3055} schaltet der Transistor typischerweise Kollektorströme von $\unit[5]{A}$, welche zwei Größenordnungen von den hier vorhandenen Strömen entfernt sind. Aber der Vergleich mit dem Datenblatt zeigt auch im Arbeitsbereich eine klare Proportionalität, so dass das idealisierte Bild des Vierquadrantenkennlinienfelds in dieser Hinsicht falsch ist.

Auch der Zusammenhang zwischen Basis- und Kollektorstrom bei fester Spannung $U_\mathrm{CE}$ wurde bei unserer Messung als eindeutig quadratisch und konvex festgestellt.\footnote{Lineare Regression: $\chi_\mathrm{red}^2 \approx 4.95$, Quadratische Regression: $\chi_\mathrm{red}^2 \approx 0.02$ (beide via gnuplot).}
Hier ist der Betrieb unterhalb des Arbeitspunktes für die Anomalie verantwortlich, statt einer Verstärkung der Steigung ist eigentlich eine Abschwächung zu erwarten, welche sich aber laut Datenblatt erst ab $I_\mathrm{C} = \unit[200]{mA}$ einstellt.

Ansonsten zeigen die Messungen eine erfreuliche Genauigkeit und Übereinstimmung mit der Theorie.
Man beachte vor allem die gute Erkennbarkeit von aktivem und Sättigungsbereich der $U_\mathrm{CE}$-$I_\mathrm{C}$-Kennlinie und die geringe Abweichung der gemessenen Schwingungsfrequenzen bei verschiedenen Kapazitäten vom theoretisch ermittelten Wert.
